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[IT뉴스]中 CXMT 반도체 신기술, 왜 삼전닉스 주가 흔들었나

온카뱅크관리자

2026-10-15 00:37:25

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> [경제 5Q] 집적도 높인 기술 연내 상용화 선언 
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 <img alt="중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT) 로고./로이터연합뉴스" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/15/chosun/20261015003313445hnuq.jpg" data-org-width="3500" dmcf-mid="pWRsOAu5Gs" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/15/chosun/20261015003313445hnuq.jpg" width="658">
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 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT) 로고./로이터연합뉴스
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 지난 13일 한국과 미국의 대표 메모리 반도체 기업 주가가 크게 내렸다. 삼성전자는 7.39%, SK하이닉스는 10.09% 급락했고 미국 마이크론도 이틀 연속 하락했다. 중국 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술인 ‘4F²(포에프스퀘어)‘를 올해 내로 상용화하겠다고 발표한 것이 영향을 미쳤다. 삼성전자와 SK하이닉스도 아직 시도 중인 기술이다.
 이 소식에 한국 반도체 기업의 경쟁력 우위가 곧 무너질 수 있다는 위기론이 또 불거졌다. 지난 7월 CXMT 상장 때도 “대규모 자본 확충을 통해 한국과 미국 선도 기업을 빠르게 따라잡을 것”이라는 우려가 확산되며 반도체 주가 하락을 촉발한 바 있다.
 CXMT가 이날 발표를 실제로 현실화할 능력이 있는지는 아직 검증되지 않았지만, 한국 반도체 기업의 메모리 초호황이 예상보다 일찍 끝날 수 있다는 우려가 커지고 있다. 이 기술의 실체와 현실화할 경우 시장에 미칠 영향을 5Q로 살펴봤다.
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 <img alt="그래픽=박상훈" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202610/15/chosun/20261015003314958mdqq.png" data-org-width="2000" dmcf-mid="UFtPQKsAYm" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202610/15/chosun/20261015003314958mdqq.png" width="658">
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 그래픽=박상훈
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 Q1. 4F²는 어떤 기술인가
 D램은 데이터를 저장하는 작은 공간인 ‘셀’을 수십억 개 모아 만든다. 이 셀 구조의 최소 선폭을 흔히 ‘F(feature size)’라고 부른다. 현재 널리 사용하는 6F² 구조는 셀의 가로와 세로 길이가 각각 F의 3배(3F)와 2배(2F)라는 뜻이다.
 4F²는 이 셀의 가로와 세로가 모두 2F라는 뜻이다. 이렇게 하면 셀 하나가 차지하는 면적이 기존 6F²의 3분의 2가 된다. 반도체의 핵심 소자인 트랜지스터를 기존의 눕히는 구조에서, 세워놓는 구조로 바꾸는 식으로 가능하다.
 이는 반도체 회로를 더 미세하게 하지 않고도 같은 면적의 반도체에 배치하는 셀 수를 최대 50% 늘릴 수 있다. 이를 통해 같은 크기의 칩에 더 많은 데이터를 저장하거나, 같은 용량의 칩을 더 작게 만들어 웨이퍼(반도체 원판) 한 장에서 생산하는 칩 수를 늘릴 수 있다. D램 생산량에 큰 영향을 미칠 수 있는 기술인 셈이다.
 Q2. 삼성·SK하이닉스는 개발하지 못했나
 4F²는 CXMT가 개발한 기술이 아니다. 삼성전자가 먼저 지난 2월 국제반도체회로학술회의(ISSCC)에서 4F² 구조를 적용한 16Gb(기가비트) D램 연구 결과를 공개했다. SK하이닉스도 지난해 학술회의에서 4F² 기술 개발 방향을 발표했다.
 뒤늦게 뛰어든 CXMT는 ‘상용화 계획’에서 선수를 쳤다. CXMT는 지난 10일 중국 상하이에서 열린 반도체 행사에서 “연말까지 4F² 기술을 적용한 서버용 DDR5 메모리 제품을 선보이겠다”고 했다. 삼성전자·SK하이닉스가 아직 구체적인 기술 상용화 일정을 내놓지 못한 상황에서 벌어진 일이다.
 CXMT는 다만 새 제품의 저장 용량과 메모리 처리 속도, 수율(정상 제품 비율), 생산 규모, 고객사 등을 공개하지 않았다. 제품 공개와 높은 수율로 대량 생산하는 것은 완전히 별개다. 반도체 업계에선 “시제품 정도는 몰라도, 한국보다 빨리 양산에 나서기는 힘들다”는 시각이 우세하다.
 Q3. HBM(고대역폭 메모리)도 뒤처진 중국, 왜 4F² 개발 서두르나
 D램의 성능을 좌우하는 핵심 요소는 좁은 면적에 얼마나 많은 데이터를 저장할 수 있느냐는 것이다. 이를 위해 반도체 회로를 촘촘하게 만드는 ‘미세 공정’ 기술이 핵심이다.
 문제는 중국이 미국의 수출 규제로 회로를 새기는 최첨단 극자외선(EUV) 노광 장비를 도입할 수 없다는 데 있다. 여기에 한국 업체들이 첨단 제조 설비를 선제적으로 확보하면서 미세화 경쟁에서 구조적으로 불리한 처지다. 결국 CXMT는 공정의 미세화 대신, 셀의 크기를 줄이는 ‘우회로’를 선택했다는 분석이 나온다.
 중국 정부의 지원도 이런 기술 추격을 뒷받침하고 있다. 정부가 국가 보조금을 지원하고 반도체 장비·소재 기업들의 기술 개발을 촉진하는 한편, 자국 반도체를 구매할 내수 시장까지 키워줬다. 당장 한국 업체에 비해 수율과 원가 경쟁력이 떨어져도 생산과 판매를 이어가며 기술을 개선할 여건을 조성하는 것이다.
 Q4. 중국이 4F² 양산에 성공하면 메모리 호황이 끝나나
 CXMT가 향후 4F²를 높은 수율로 양산하면 같은 생산 시설에서 더 많은 D램을 만들고 제조 원가를 낮출 수 있다. 현재 AI 데이터센터 투자 확대로 벌어진 메모리 수요와 공급의 격차가 예상보다 빨리 좁혀지고, 삼성전자·SK하이닉스가 누리는 메모리 호황도 조기에 끝날 수 있다는 전망이 나온다.
 다만 CXMT가 연말 제품을 출시해도, 실제 공급량을 크게 늘리기까지는 상당한 시간이 필요하다는 것이 중론이다. 높은 수율을 확보해야 하고, 서버 고객사의 품질 검증도 거쳐야 한다. 금세 4F² 기술로 만든 D램이 쏟아질 가능성은 높지 않다.
 Q5. 아직 양산도 안 했는데 주가는 왜 출렁이나
 삼성전자·SK하이닉스 등의 주가에는 현재의 메모리 가격 상승세가 장기간 이어질 것이라는 기대가 반영돼 있다. 하지만 최근 반도체 초호황을 유발한 AI 데이터센터 투자 열기가 얼마나 오래 지속될 수 있을지를 놓고 의문이 제기되고 있다.
 이런 상황에서 중국 업체의 공급 확대 가능성까지 부각되자 투자자들이 메모리 가격 상승세의 지속 가능성을 다시 따져보기 시작한 것으로 보인다. 다만 CXMT의 4F² 양산 능력과 실제 공급 규모가 확인되지 않은 만큼 이번 발표만으로 글로벌 메모리 시장의 공급 부족이 조기에 해소될 것이라고 보기는 어렵다.
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