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[IT뉴스]메모리 호황에 대만도 EUV 투자 본격화… 삼성전자·SK하이닉스 추격 나선 난야·윈본드

온카뱅크관리자

2026-11-13 06:07:24

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div> 윈본드, 2030년 14나노급 D램에 EUV 도입 추진 난야, 3466억대만달러 투자… 차세대 공정·패키징 기술 확보 범용 D램 호황에 투자 여력 확대… 중장기 공급 경쟁 변수 
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 메모리 반도체 호황이 대만 D램 업체들의 첨단 공정 투자로 이어지고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사가 고대역폭메모리(HBM)와 서버용 D램 생산에 집중하면서 범용 D램 공급이 줄어들자, 대만 업체들이 가격 상승에 따른 반사이익을 누리고 있는 것이다. 난야테크놀로지와 윈본드는 확보한 수익을 극자외선(EUV) 노광장비와 차세대 공정 개발에 재투자하며 한국 메모리 업체들과의 기술 격차 축소에 나섰다.
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 ASML 극자외선(EUV) 장비가 웨이퍼 위에 회로 패턴을 새기고 있다./뉴스1
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 13일 반도체 업계에 따르면 윈본드는 2030년까지 EUV 기술을 적용한 14나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램 공정 도입을 추진하고 있다. 윈본드는 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML과 약 3년 6개월간 EUV 도입을 준비해왔으며, 첫 장비를 약 2년 뒤 공급받을 수 있을 것으로 예상하고 있다.
 윈본드는 14나노급 D램 공정을 두 단계로 나눠 개발할 계획이다. 초기에는 기존 노광기술을 활용해 공정을 개발하고, 이후 EUV를 적용하는 방식이다. 다만 2030년 EUV 도입은 개발이 순조롭게 진행될 경우를 전제로 한 목표로, 실제 양산 시점은 확정되지 않았다.
 대만 최대 D램 업체인 난야테크놀로지도 EUV 도입을 포함한 대규모 설비투자를 추진하고 있다. 난야는 지난 8월 이사회에서 2026년부터 2029년까지 신규 5A 공장 1단계 설비투자에 최대 3466억대만달러를 투입하는 계획을 승인했다. 투자 대상에는 EUV 장비가 포함됐다. 난야는 2027년 하반기부터 신규 공장에 웨이퍼를 투입하고, 생산능력을 2028년 말 월 3만장, 2030년 말 월 5만장까지 확대할 방침이다. 차세대 1c·1d·1e D램 공정과 EUV 기술 개발도 병행하고 있다.
 대만 업체들이 첨단 공정 투자에 나선 배경에는 메모리 산업의 공급 구조 변화가 있다. AI 인프라 투자 확대로 HBM과 고용량 서버용 D램 수요가 급증하자 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론은 수익성이 높은 제품을 중심으로 생산능력을 배분하고 있다. 이에 따라 DDR3와 DDR4 등 구형 범용 D램의 공급 여력이 줄어들면서 해당 시장을 주력으로 삼아온 대만 업체들의 입지가 강화됐다.
 범용 D램은 산업용 장비와 네트워크 기기, 자동차 전장 등에서 여전히 폭넓게 사용되고 있다. 이들 제품은 한번 채택되면 장기간 동일한 규격을 사용하는 경우가 많아 최신 D램으로의 전환 속도가 상대적으로 느리다. 주요 업체들이 구형 제품 생산을 축소하더라도 일정 수준의 수요가 유지되는 구조다.
 가격 상승에 따른 수익성 개선은 투자 여력 확대로 이어지고 있다. 난야의 올해 3분기 매출은 1336억4900만대만달러로 전 분기 대비 61.9% 증가했다. D램 평균판매가격(ASP)이 60% 이상 상승하면서 출하량 감소에도 매출이 크게 늘었다. 매출총이익률은 85.7%에 달했다. 윈본드 역시 3분기 매출이 823억3100만대만달러로 전년 동기 대비 278.2% 증가했다.
 주목할 부분은 대만 업체들의 투자 방향이 단순한 생산능력 확대에서 첨단 공정 확보로 옮겨가고 있다는 점이다. 그동안 글로벌 D램 시장은 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 선단 공정을 주도하고 대만 업체들은 상대적으로 구형 제품에 집중하는 구조였다. 그러나 난야와 윈본드가 EUV 도입을 추진하면서 이러한 기술적 분업 구조에도 변화가 나타날 가능성이 제기된다.
 EUV는 기존 불화아르곤(ArF) 액침 노광기술보다 짧은 파장의 빛을 활용해 웨이퍼에 미세한 회로를 구현하는 기술이다. 기존 노광기술로는 여러 차례 나눠 형성해야 하는 일부 회로 패턴을 EUV로 구현하면 공정 단계를 줄일 수 있다. 공정 복잡도를 낮추고 생산 효율을 높이는 데 유리해 차세대 D램의 원가 경쟁력을 좌우하는 기술로 꼽힌다.
 난야는 첨단 패키징 기술 확보에도 나서고 있다. 2028년 말까지 대만 핑둥과학단지에 실리콘관통전극(TSV)과 웨이퍼 적층 기술을 활용하는 3차원(3D) 패키징·테스트 공장을 구축할 계획이다. TSV는 반도체 칩을 수직으로 연결하는 기술로 HBM 등 고성능 메모리 패키징에도 활용된다. 다만 관련 투자가 곧바로 HBM 양산 진출을 의미하는 것은 아니다.
 대만 업체들의 EUV 도입이 단기간에 한국 메모리 업체들의 기술 우위를 위협할 가능성은 제한적이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이미 여러 세대의 D램에 EUV를 적용하며 양산 경험을 축적한 반면, 난야와 윈본드는 장비 도입과 공정 개발을 추진하는 단계다. 장비 도입 이후에도 식각과 증착 등 전후 공정의 최적화와 수율 안정화에 상당한 시간이 필요하다.
 EUV 장비의 공급 제약도 변수다. EUV 노광장비는 사실상 ASML이 독점 공급하고 있으며, 첨단 D램뿐 아니라 파운드리에서도 수요가 늘고 있다. ASML은 최근 실적 발표에서 2027~2028년 고객 수요가 현재 계획된 장비 공급능력을 넘어설 것으로 예상했다. 기존 고객사들의 투자가 확대되는 가운데 신규 수요까지 증가하면 장비 확보 경쟁이 심화할 수 있다.
 중장기적으로는 범용 D램 시장의 수급 변화에 주목할 필요가 있다. 현재 대만 업체들의 실적 호조는 메모리 3사의 생산 전환에 따른 공급 부족에 상당 부분 기인한다. 그러나 2028~2030년 대만 신규 공장의 가동과 미세공정 전환이 본격화하면 공급 확대에 따른 가격 경쟁이 재현될 가능성도 있다. EUV 도입으로 웨이퍼당 생산성을 높이면 대만 업체들의 원가 경쟁력도 강화될 수 있다.
 한국 업체들이 HBM과 고용량 서버용 D램 등 고부가 제품 중심으로 사업 구조를 고도화하는 사이 대만 업체들은 범용 D램에서 확보한 수익을 발판으로 첨단 공정 진입을 추진하고 있다.
 반도체 업계 관계자는 “당장 HBM 시장의 경쟁 구도를 바꾸기는 어렵지만, 대만 업체들의 미세공정 전환이 본격화하는 2030년 전후에는 범용 D램을 중심으로 생산원가와 시장점유율 경쟁이 한층 치열해질 전망”이라고 말했다.
 한편, 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 난야테크놀로지와 윈본드의 점유율은 각각 약 3%, 1% 수준으로, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 상위 3사와는 상당한 격차가 있다.
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