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[IT뉴스]‘루트세미콘·SK파워텍’ 차세대 SiC 전력반도체 개발, 첫 시제품 수율 80% 기록

온카뱅크관리자

2026-07-15 12:37:28

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  <strong class="summary_view" data-translation="true">1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET 파운드리 공동 개발<br>공급망 안정성과 생산 효율 향상도 기대</strong> 
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="yZNCswkLSj">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="7e4470a7c71e76d3865ca2e0ad39a535e67f46760921656e6481e31c5134680e" dmcf-pid="W5jhOrEoCN" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="루트세미콘 로고 이미지." class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202607/15/dt/20260715122709159iemk.jpg" data-org-width="640" dmcf-mid="xIQNoie4lA" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img2.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202607/15/dt/20260715122709159iemk.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            루트세미콘 로고 이미지.
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="df1054e332f6b0bf65851e6b843891efa41ac1509df47fc00f3f9d8f98c04540" dmcf-pid="Y1AlImDgya" dmcf-ptype="general"><br> 차세대 전력반도체 설계기업 루트세미콘과 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 전문기업 SK파워텍이 공동 개발한 SiC MOSFET이 첫 엔지니어링 런(Engineering Run)에서 평균 수율 80%를 기록하며 국내 SiC 전력반도체 개발 역량을 입증했다.</p>
          <p contents-hash="ea528540eac341ff0fb7ae55696df520ae7dbf5d92968b39ef6e5bb7ccf492ac" dmcf-pid="GtcSCswaCg" dmcf-ptype="general">양사는 이번 성과를 바탕으로 해외에 의존해온 SiC 전력반도체 생산 기반을 국내로 확대하고, 자동차 전장 시장을 중심으로 글로벌 경쟁력을 강화한다는 계획이다.</p>
          <p contents-hash="e80b5b5d742cffd5185eb15b841ccb38a536d9a2456e4779c7691053612d9186" dmcf-pid="HFkvhOrNWo" dmcf-ptype="general">루트세미콘과 SK파워텍은 지난 4월 SiC MOSFET 파운드리 제품 개발 계약을 체결한 이후 공동 개발을 진행해 왔다. 5월에는 1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET의 첫 Tape Out을 완료했으며, 6월 29일 Fab Out을 마친 첫 엔지니어링 런에서 평균 수율 80%를 확보했다.</p>
          <p contents-hash="2c40a668648c59d56f0a71ddda5d0cea3c6b4cb093f3ab02a1d3f42edddb1a5e" dmcf-pid="XpwWvhOcvL" dmcf-ptype="general">양사는 대면적 고전압 SiC MOSFET의 경우 초기 개발 단계에서 안정적인 수율 확보가 쉽지 않은 제품군이라는 점에서 이번 결과가 설계 기술과 제조 공정의 완성도를 보여주는 의미 있는 성과라고 설명했다.</p>
          <p contents-hash="990d06ece75fe13f8f01fdde10401591c63e079972f21be0195a241deb5eb60a" dmcf-pid="ZUrYTlIkSn" dmcf-ptype="general">이번 프로젝트는 루트세미콘이 보유한 SiC 전력반도체 설계 기술과 SK파워텍의 SiC 파운드리 제조 기술이 결합해 이뤄졌다. 이를 통해 루트세미콘은 해외 파운드리에 의존했던 생산 체계를 국내 중심으로 전환할 수 있는 기반을 마련했으며, 공급망 안정성과 생산 효율 향상도 기대하고 있다.</p>
          <p contents-hash="a26795a4559d739e669b791e8d234b747bad599833b73828a1559d0b711cfd81" dmcf-pid="5umGySCEhi" dmcf-ptype="general">개발된 1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET은 전기차 충전기(EV Charger) 등 자동차 전장 분야를 주요 적용 시장으로 한다. 양사는 향후 Auto용 SiC 전력반도체 제품군 확대와 함께 양산 협력을 지속해 국내 전력반도체 산업 경쟁력을 높여 나갈 계획이다.</p>
          <p contents-hash="f406092ca10a3e8ef95c41d7b8d0e9a48fd0f686aa507ce307b1dc1e609e621e" dmcf-pid="17sHWvhDlJ" dmcf-ptype="general">장근호 루트세미콘 대표는 “첫 엔지니어링 런에서 기대 이상의 수율을 확보한 것은 양사의 기술적 시너지가 만들어낸 결과”라며 “국내 생산 기반을 확대하고 글로벌 고객 대응 역량도 지속적으로 강화해 나가겠다”고 말했다.</p>
          <p contents-hash="f3c1b13e1395f36ce94f0d375241c18a8b0813bd60100f3561f0ba90e872264f" dmcf-pid="tzOXYTlwCd" dmcf-ptype="general">이동재 SK파워텍 대표는 “이번 개발은 자사의 SiC 파운드리 공정 경쟁력을 확인한 계기”라며 “양산 단계에서도 안정적인 품질과 공급 체계를 기반으로 고객사의 제품 경쟁력 향상을 적극 지원하겠다”고 밝혔다.</p>
          <p contents-hash="c05de70505bb5926320945e4df647fca80e4f3df01abbb0e6153622a5f047b34" dmcf-pid="FqIZGySrhe" dmcf-ptype="general">한편 루트세미콘은 SiC를 비롯한 차세대 전력반도체 설계 기술을 기반으로 고효율 전력변환 솔루션을 개발하고 있으며, SK파워텍은 SiC 전력반도체 제조 역량을 바탕으로 국내외 전력반도체 시장 공략을 확대하고 있다.</p>
          <p contents-hash="364059b88adfbb8331fd359ff4995227bb76ac19e6be6303d0a7805e7e08e6b8" dmcf-pid="3BC5HWvmhR" dmcf-ptype="general">김대성 기자 kdsung@dt.co.kr</p>
         </section> 
        </div> 
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